经过晶体实验室研发团队半年多的技术攻关，8月12日，首颗8英寸N型SiC晶体成功出炉，晶盛第三代半导体材料SiC研发自此迈入8英寸时代，这是晶盛在宽禁带半导体领域取得的又一标志性成果。
碳化硅器件具有耐高温、耐高压、高频特性好、转化效率高、体积小和重量轻等优点，被广泛应用于新能源汽车、轨道交通、光伏、5G通讯等领域。但“高硬度、高脆性、低断裂韧性”的碳化硅，对生产工艺有着极其苛刻的要求，而大尺寸的碳化硅晶体制备一直是行业的“卡脖子”技术。
此次研发成功的8英寸SiC晶体，晶坯厚度25mm，直径214mm，是晶盛在大尺寸SiC晶体研发上取得的重大突破。不但成功解决了8英寸SiC晶体生长过程中温场不均、晶体开裂、气相原料分布等难点问题，同时还破解了SiC器件成本中衬底占比过高的难题，为大尺寸SiC衬底广泛应用打下基础。
SiC晶体生长和加工技术自主可控是抢占未来竞争制高点的关键！一直以来，晶盛机电始终坚持“打造半导体材料装备领先企业，发展绿色智能高科技制造产业”的初心使命，通过自主开发的设备、热场和工艺技术，不断延伸产品系列。从2017年开始布局碳化硅业务，到2020年建立长晶和加工中试线，SiC晶体直径也从最初的4英寸增大到如今的8英寸，进一步缩小国内外技术差距，保障我国碳化硅产业在关键核心技术上的自主可控。
科技创新，为国担当！此次8英寸SiC导电单晶研制成功，不仅极大地提升了晶盛在SiC单晶衬底行业的国际竞争力，也为宽禁带半导体产业的国产化发展添砖加瓦，为喜迎党的二十大献礼！
